池本 由希子 | 高エ研
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概要
関連著者
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池本 由希子
KEK素核研
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池本 由希子
高エ研
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三好 敏喜
高エネルギー加速器研究機構素粒子原子核研究所
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新井 康夫
KEK素核研
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一宮 亮
高エネルギー加速器研究機構素粒子原子核研究所
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新井 康夫
高エネルギー加速器研究機構素粒子原子核研究所
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新井 康夫
高エネルギー加速器研究機構・素核研
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三好 敏喜
KEK素核研
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一宮 亮
KEK素核研
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武田 彩希
総研大
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原 和彦
筑波大数物
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高力 孝
KEK
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高力 孝
高エ研
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原 和彦
筑波大・物理
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原 和彦
筑波大
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花垣 和則
阪大理
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海野 義信
高エ研
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坪山 透
KEK素核研
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坪山 透
高エ研
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田内 一弥
高エ研
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武田 彩希
総合研究大学院大学
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池田 博一
ISAS JAXA
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池田 博一
宇宙航空研究開発機構
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寺田 進
高エ研
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廣瀬 穣
阪大理
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三宅 秀樹
筑波大数物
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河内山 真美
筑波大数物
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瀬賀 智子
筑波大数物
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池上 陽一
高エ研
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池田 博一
(独)宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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Ohno Morifumi
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
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大野 守史
沖セミコンダクター(株)
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Ohno Morifumi
Semiconductor Technology Laboratory Oki Electric Industry Co. Ltd.
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大野 守史
静岡大学電子工学研究所
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大野 守史
(株) ソルテック
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山口 尚秀
物材機構
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寺嶋 太一
物材機構
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野田 耕平
物材機構
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寺嶋 太一
物材機構:jst-trip
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三好 敏喜
高エ研
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高力 孝
KEK素核研
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三宅 秀樹
筑波大数理
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河内山 真美
筑波大数理
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瀬賀 智子
筑波大数理
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新井 康夫
高エ研
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池本 由希子
物材機構
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武田 彩希
KEK総研大
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山本 浩史
理研
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宇治 進也
物材機構
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初井 宇記
理研XFEL
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竹谷 篤
理研
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一宮 亮
理研
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山本 浩史
理研:jst-さきがけ
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初井 宇記
理化学研究所
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工藤 統吾
JASRI
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石野 宏和
岡山大理
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鶴 剛
京大
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工藤 統吾
高輝度光科学研究センター
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羽澄 昌史
高エ研
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羽澄 昌史
KEK
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工藤 統吾
(財)高輝度光科学研究センター
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海野 義信
KEK素核研
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田内 一弥
KEK素核研
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原 和彦
筑波大数理
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山本 均
東北大理
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田窪 洋介
東北大理
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長嶺 忠
東北大理
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堀井 泰之
東北大理
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大野 守史
沖セミコンダクター
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沖原 将生
沖セミコンダクター宮城
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大野 守史
沖電気工業(株)
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竹谷 篤
理研仁科センター
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羽澄 昌史
KEK素核研
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工藤 統吾
理化学研究所
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沖原 将生
沖セミコンダクター宮城(株)
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大野 守史
沖電気工業
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中島 真也
京大
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劉 周強
京大
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新庄 康平
筑波大
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初井 宇記
理化学研究所 播磨研究所
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羽澄 昌史
大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構(kek)
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石野 宏和
岡山大学
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花垣 和則
阪大
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工藤 統吾
理研:JASRI
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石野 宏和
岡山大
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花垣 和則
大阪大理
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加藤 礼三
理研
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崔 亨波
理化学研究所
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小林 昭子
日大文理
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徳本 圓
防衛大
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加藤 礼三
埼玉大理工
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硲 香織
筑波大数理物質
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宇治 進也
筑波大数理物質
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高坂 洋介
埼玉大理
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内田 智久
高エ研
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田中 寿
産総研
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内田 智久
東大理
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硲 香織
物材機構(nims):筑波大数理物質
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小林 速男
分子研
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鶴 剛
京大理
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池上 陽一
KEK素核研
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寺田 進
KEK素核研
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工藤 統吾
理研XFEL計画推進本部
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初井 宇記
理研X線自由電子レーザー計画推進本部
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工藤 統吾
理研X線自由電子レーザー計画推進本部
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廣瀬 穣
大阪大
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池本 由希子
高エネルギー加速器研究機構
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竹谷 篤
岡山大・教養
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竹谷 篤
広大理
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徳本 圓
電子技術総合研究所
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Cui H.
分子研
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花垣 和則
大阪大学理学研究科
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鶴 剛
京都大・理・物理
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小林 恵
理研
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小林 真帆
東邦大理
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小林 明子
上智大理工
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内田 潤
阪大
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鶴 剛
京都大学理学部物理学第二教室・宇宙線研究室
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三好 敏喜
KEK素格研
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一宮 亮
KEK素格研
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池本 由希子
KEK素格研
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新井 康夫
KEK素格研
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劉 周強
京都大
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中島 真也
京都大
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中島 真也
京大理
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劉 周強
京大理
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石橋 貴生
筑波大数理
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新庄 康平
筑波大数理
-
鶴 剛
京郁大学
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藤田 陽一
KEK素核研
著作論文
- 28pRE-7 SOI技術を用いた新しいX線イメージセンサーの開発II(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pSB-2 SOI pixel検出器用DAQシステムの開発,及び性能試験(27pSB 半導体検出器,MPGD,素粒子実験領域)
- 28aYK-11 大面積化を目指した計数型X線SOIイメージセンサー(CNTPIX3)(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aWA-3 SOI技術を用いた新しいX線イメージセンサーの開発(21aWA X線・中性子(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aSJ-6 SOI pixel検出器におけるセンサー及び回路開発(23aSJ 半導体検出器,素粒子実験領域)
- 19aRA-4 新規有機導体(Me-3,5-DIP)[Ni(dmit)_2]_2の電子状態(dmit,理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRJ-3 λ-(BETS)_2Fe_xGa_Cl_4におけるvortex運動のエネルギー散逸(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRA-7 モット絶縁体κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Clの非線形電流電圧特性(強電場効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pGN-13 SOI技術を用いた読み出し一体型ピクセル検出器(積分型)の開発II(27pGN 素粒子実験領域,実験核物理領域合同素粒子実験核物理測定器合同セッション(半導体検出器),素粒子実験領域)
- 27pGN-12 SOIシリコン検出器の高比抵抗FZ基板の特性について(27pGN 素粒子実験領域,実験核物理領域合同素粒子実験核物理測定器合同セッション(半導体検出器),素粒子実験領域)
- 26aTN-9 SOIイメージセンサーのX線応用(26aTN X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aJA-13 SOI技術を用いた放射線ピクセルセンサーのX線応用(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 18aSE-2 積分型SOI検出器のX線イメージングセンサとしての性能評価(18aSE 素粒子実験領域,実験核物理領域合同素粒子実験核物理測定器合同セッション(半導体・GEM・中性子検出器),素粒子実験領域)
- 27aFB-5 SOI技術を用いた積分型ピクセルセンサーの基本特性評価(27aFB 素粒子実験領域,実験核物理領域合同素粒子実験核物理測定器合同セッション(半導体検出器・飛跡検出器・SOI検出器),素粒子実験領域)
- 25aGJ-6 X線天文学向け積分型SOIピクセル検出器の開発(25aGJ X線・γ線,宇宙線・宇宙物理領域)
- 18pAG-10 SOI技術による高精細X線イメージセンサーの開発(18pAG X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))