角嶋 邦之 | 東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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概要
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻 | 論文
- HfNのECR Ar/O_2プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ECR-Ar/N_2プラズマにより形成したHfON膜の極薄膜化に関する検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ECRプラズマプロセスによるHfO_2系絶縁膜の極薄膜化の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)