岩崎 仁志 | (株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
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概要
(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ | 論文
- 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性(記録システムおよび一般)
- FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果(垂直磁気記録及び一般)
- Fe_Co_-NOLの磁気構造解析と90°結合
- スペキュラスピンバルブにおけるCoFe-NOLの交換結合磁界
- IrMn交換結合特性の膜厚依存性と結晶構造の関係