川野 連也 | Necエレクトロニクス株式会社実装技術部
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概要
Necエレクトロニクス株式会社実装技術部 | 論文
- 貫通ビアを用いた積層DRAM向け高密度パッケージ開発(高密度SiP・3次元実装技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- C-12-4 高密度貫通電極スペーサーを用いたワイドバスCoC(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- 無電解CuNiPのSnAgCuはんだバンプ接続信頼性
- 三次元LSIチップ間配線技術
- 広帯域・大容量メモリ搭載SMAFTIパッケージ技術 (電子デバイス特集) -- (先端製品を支える共通技術・基盤技術)