Zegaoui Malek | Institute Of Electronic Microelectronic And Nanotechnology
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概要
関連著者
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Zegaoui Malek
Institute Of Electronic Microelectronic And Nanotechnology
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Grimbert Bertrand
Institute Of Electronic Microelectronic And Nanotechnology
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Rolland Nathalie
Institut D'electronique De Microelectronique Et De Nanotechnologie (iemn) Cnrs Umr 8520 Universite De Lille 1
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Rolland Paul-alain
Institute Of Electronic Microelectronic And Nanotechnology
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Rolland Nathalie
Institute Of Electronic Microelectronic And Nanotechnology
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Medjdoub Farid
Institute Of Electronic Microelectronic And Nanotechnology
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MEDJDOUB Farid
Institute of Electronic, Microelectronic and Nanotechnology
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ZEGAOUI Malek
Institute of Electronic, Microelectronic and Nanotechnology
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WALDHOFF Nicolas
Institute of Electronic, Microelectronic and Nanotechnology
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GRIMBERT Bertrand
Institute of Electronic, Microelectronic and Nanotechnology
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Waldhoff Nicolas
Institute Of Electronic Microelectronic And Nanotechnology
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Rolland Paul
Institut D'electronique De Microelectronique Et De Nanotechnologie (iemn) Cnrs Umr 8520 Universite De Lille 1
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DUCATTEAU Damien
Institute of Electronic, Microelectronic and Nanotechnology
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Ducatteau Damien
Institute Of Electronic Microelectronic And Nanotechnology
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Lethien Christophe
Institut D'electronique De Microelectronique Et De Nanotechnologie (iemn) Cnrs Umr 8520 Universite De Lille 1
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ROLLAND Paul
Institut d'Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie (IEMN), CNRS UMR 8520 and Institut de Recherche sur les Composants logiciels et materiels pour l'Information et la Communication Avancee (IRCICA), CNRS USR 3380, Universite Lill
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BOURLIER Yoan
Institut d'Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie (IEMN), CNRS UMR 8520 and Institut de Recherche sur les Composants logiciels et materiels pour l'Information et la Communication Avancee (IRCICA), CNRS USR 3380, Universite Lille 1 Scienc
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BERNARD Remy
Laboratoire de Physique des lasers, Atomes et Molecules, (PhLAM) Universite Lille 1 Sciences et Technologies, CNRS UMR 8523
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ROUSSEL Pascal
Unite de Catalyse et de Chimie du Solide (UCCS), CNRS UMR 8181, Universite Lille 1 Sciences et Technologies
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BOUAZAOUI Mohamed
Laboratoire de Physique des lasers, Atomes et Molecules, (PhLAM) Universite Lille 1 Sciences et Technologies, CNRS UMR 8523
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BOURLIER Yoan
Institut d'Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie (IEMN), CNRS UMR 8520 and Institut de Recherche sur les Composants logiciels et materiels pour l'Information et la Communication Avancee (IRCICA), CNRS USR 3380, Universite Lill
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ZEGAOUI Malek
Institut d'Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie (IEMN), CNRS UMR 8520 and Institut de Recherche sur les Composants logiciels et materiels pour l'Information et la Communication Avancee (IRCICA), CNRS USR 3380, Universite Lill
著作論文
- Above 600mS/mm Transconductance with 2.3A/mm Drain Current Density AlN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Grown on Silicon
- Effects of AlGaN Back Barrier on AlN/GaN-on-Silicon High-Electron-Mobility Transistors
- Effects of AlGaN Back Barrier on AIN/GaN-on-Silicon High-Electron-Mobility Transistors
- Trapping Effects Dependence on Electron Confinement in Ultrashort GaN-on-Si High-Electron-Mobility Transistors
- Hall-Effect Measurements of Sol-Gel Derived CuInS_2 Thin Films for Photovoltaic Applications