Kamp Martin | Technische Physik Universitat Wurzburg Am Hubland
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概要
関連著者
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Forchel Alfred
Technische Physik Universitat Wurzburg
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Kamp Martin
Technische Physik Universitat Wurzburg Am Hubland
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FORCHEL Alfred
Technische Physik, Universitat Wurzburg, Wilhelm-Conrad-Rontgen-Research Center for Complex Material
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Forchel Alfred
Technische Physik Universitat Wurzburg Am Hubland
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Schweizer Heinz
Physikalisches Institut Universitat Stuttgart
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Fischer Frank
Technische Physik Universitat Wurzburg Am Hubland
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WORSCHECH Lukas
Technische Physik, Universitat Wurzburg, Am Hubland
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KAMP Martin
Technische Physik, Universitat Wurzburg, Am Hubland
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Worschech Lukas
Technische Physik Universitat Wurzburg Am Hubland
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Savin Alexander
Department of Physics, University of Jyväskylä, P.O. Box 35, FIN-40351 Jyväskylä, Finland
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Forchel Alfred
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany
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Manninen Antti
Department of Physics, University of Jyväskylä, P.O. Box 35, FIN-40351 Jyväskylä, Finland
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Kamp Martin
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany
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Ahopelto Jouni
VTT Microelectronics Centre, P.O. Box 1101, FIN-02044 VTT, Finland
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Ahopelto Jouni
VTT Micro and Nanoelectronics, Espoo, FI-02044, Finland
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Pekola Jukka
Department of Physics, University of Jyväskylä, P.O. Box 35, FIN-40351 Jyväskylä, Finland
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Kauranen Jari
Department of Physics, University of Jyväskylä, P.O. Box 35, FIN-40351 Jyväskylä, Finland
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Emmerling Monika
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany
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Prunnila Mika
VTT Microelectronics Centre, P.O. Box 1101, FIN-02044 VTT, Finland
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Kauranen Jari
Department of Physics, University of Jyväskylä, P.O. Box 35, FIN-40351 Jyväskylä, Finland
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Emmerling Monika
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany
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SCHWEIZER Heinz
Physikalisches Institut, Universitat Stuttgart
著作論文
- High Frequency Operation of Nanoelectronic Y-Branch at Room Temperature : Semiconductors
- Single Electron Transistor Fabricated on Heavily Doped Silicon-on-Insulator Substrate