Kadomura S | Sony Corp. Atsugi Jpn
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概要
Sony Corp. Atsugi Jpn | 論文
- Formation of SiN Films by Plazma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using [(CH_3)_2N]_3SiN_3
- 22pVE-4 収束電子回折法による静電ポテンシャル分布解析 : BaTiO_3とPbTiO_3の比較(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYE-10 収束電子回折法によるPbTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXA-13 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析II(誘電体(BaTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Ge濃度を制御したSi_Ge_xの格子定数測定