高田 育紀 | 三菱電機
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概要
関連著者
著作論文
- バイポーラモード静電誘導トランジスタ(BSIT)の動作機構 : BJT動作の理解のために
- IGBTオン特性の不完全pinダイオードによるエミュレーション
- 衝突電離作用の可逆過程となる再結合とその宇宙線破壊シミュレーションへの影響
- IGBT動作とバイポーラトランジスタ動作の基本的な違い : ここ12年のIGBT動作モデルの進歩
- IGBT動作とバイポーラトランジスタ動作の基本的な違い : ここ12年のIGBT動作モデルの進歩(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 衝突電離作用の可逆過程となる再結合とその宇宙線破壊シミュレーションへの影響(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- pin ダイオードの逆方向電流-電圧特性と降伏限界の解析
- シリコン・パワートランジスタ開発者の新材料パワーデバイスへの期待
- SRH再結合モデルの問題点とその解決策の提言
- pin ダイオードの動作原理
- 6. 高速・大容量半導体パワーデバイス(半導体パルスパワー電源の現状と今後〜プラズマ研究をささえる半導体パワーデバイス〜)
- 最近のIGBT二次破壊解析例に関する論評
- IGBTが負荷短絡動作で示す瞬時破壊の機構
- PT-IGBTとNPT-IGBTの短絡破壊メカニズムの考察-I : 準定常解析シミュレーションからの予想
- 電子と正孔のドリフト移動度と有効質量の簡単なモデル
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