6. 高速・大容量半導体パワーデバイス(<小特集>半導体パルスパワー電源の現状と今後〜プラズマ研究をささえる半導体パワーデバイス〜)

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概要

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• This paper describes the operation principles and limits of power semiconductors. In addition, operation mechanisms of the new pulse power devices, SOS (Semiconductor Opening Switch) and dynistors, are explained qualitatively. The fastest operating power device is the series connection of comparatively low-voltage devices. For large-current operation, a uniformly operating pin-diode structure device is essential. An SOS is constructed from dozens of medium voltage (about 3kV) special hard-recovery diodes. This can shut off 2 kA current at 10 kV within 10 ns. The dynistor has n^+pnp^+ four layers and two electrodes. Serial-connected dynistors have the potential to replace thyratrons. These new devices can endure over 10 kA/cm^2 at much higher voltage than their static breakdown values in the repetitive use more than 10^<11> times.

• 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
• 2005-05-25

著者

• 高田 育紀

  三菱電機

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