林 喜宏 | Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

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概要

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• Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所の論文著者

Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所 | 論文

• Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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