Trankle Gunther | Ferdinand-braun-institut Fur Hochstfrequenztechnik
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概要
関連著者
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Trankle Gunther
Ferdinand-braun-institut Fur Hochstfrequenztechnik
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WEIMANN Gunter
Fraunhofer Institute of Applied Solid State Physics
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Kratzer Heinrich
Walter-schottky-institut Tu Munchen
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Weimann G
Waiter-schottky-institut Technische Universitit Minchen:(present Address)fraunhofer Institut Fur Ang
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Weimann Gunter
Fraunhofer-institut Fur Angewandte Festkorperphysik
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Nutsch Andreas
Walter-schottky-institut Tu Munchen
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Torabi Bahram
Walter-schottky-institut Tu Munchen
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Chang Edward
Department Of Communications Engineering Yuan Ze University
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Chaturvedi Nidhi
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, Berlin 12489, Germany
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Lu Chung
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, 1001 University Rd, Hsinchu 300, Taiwan
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Hilt Oliver
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, Berlin 12489, Germany
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Lossy Richard
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, Berlin 12489, Germany
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John Wilfred
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, Berlin 12489, Germany
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Würfl Joachim
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, Berlin 12489, Germany
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Hilt Oliver
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, Berlin 12489, Germany
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John Wilfred
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, Berlin 12489, Germany
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Lossy Richard
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, Berlin 12489, Germany
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Chang Edward
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, 1001 University Rd, Hsinchu 300, Taiwan
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Würfl Joachim
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, Berlin 12489, Germany
著作論文
- CBE Grown (GaIn)(AsP) Laser Diodes for Monolithic Integration
- WSiN Cap Layer for Improvement of Ohmic Contact Morphology in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors