Pons M. | Cnet-cns France-telecom
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概要
関連著者
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Pons M.
Cnet-cns France-telecom
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Pelletier J
Laboratoire De Physique Et Chimie Des Procedes Plasma Universite Joseph Fourier (grenoble 1) Unite C
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Joubert Olivier
Laboratoire De Physique Et Chimie Des Procedes Plasma Universite Joseph Fourier (grenoble 1) Unite C
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Martinet Christine
Laboratoire De Physique Et Chimie Des Procedes Plasma Universite Joseph Fourier Cnrs Ers 0005 Cnet
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PONS Michel
CNET-CNS, France-Telecom
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PELLETIER Jacques
Laboratoire de Physique et Chimie des Procedes Plasma, Universite Joseph Fourier (Grenoble 1), Unite
-
JOUBERT Olivier
Laboratoire de Physique et Chimie des Procedes Plasma, Universite Joseph Fourier (Grenoble 1), Unite
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PANIEZ Patrick
CNET-CNS, France-Telecom
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PONS Michel
France Telecom, CNET
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JOUBERT Olivier
CNS
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PELLETIER Jacques
CNS
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PANABIERE Jean-Pierre
Laboratoire de Physique et Chimie des Procedes Plasma, Universite Joseph Fourier, CNRS ERS 0005, CNE
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WEILL Andre
CNS
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PELLETIER J.
Laboratoire de Physique et Chimie des Procedes Plasmas
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ARNAL Y.
Laboratoire de Physique et Chimie des Procedes Plasmas
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PONS M.
CNET Grenoble
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INARD A.
CNET Grenoble
-
Inard A
Cns Meylan Fra
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Paniez Patrick
Cnet-cns France-telecom
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Panabiere Jean-pierre
Laboratoire De Physique Et Chimie Des Procedes Plasma Universite Joseph Fourier Cnrs Ers 0005 Cnet
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PELLETIER J.
Laboratoire de Physique et Chimie des Procedes Plasma, Universite Joseph Fourier (Grenoble 1), Unite CNRS
著作論文
- Development of Polymers in O_2 Plasmas: Temperature Effects and Transition to Imperfect Anisotropy
- Comparison of Dry Development Techniques using O_2 and SO_2/O_2 Low-Pressure Plasmas
- S_2Br_2, S_2Cl_2, S_2F_2: A New Line of Halogen-Containing Gases for Low-Pressure Plasma Etching Processes