伊部 英史 | 日立製作所生産技術研究所1
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概要
日立製作所生産技術研究所1 | 論文
- 半導体デバイスの宇宙線中性子エラーの現状と動向 : メモリデバイスからロジックデバイス評価へ(耐過度故障,SWoPP2006)
- 半導体デバイス微細化に伴う中性子起因のマルチセルアップセットの多様化
- 半導体デバイス微細化に伴う中性子起因のマルチセルアップセットの多様化(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 進むパラダイムシフト : 半導体デバイスの宇宙線中性子エラー
- 次世代半導体デバイススケーリングの新たな障壁 - 宇宙線中性子ソフトエラー -