堂阪 勝己 | (株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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概要
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部 | 論文
- 低消費電力SoCプラットフィームに適し、電圧スケーラビリティ及び加速スクリーニング性を有する、Advanced-DFM RAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- CMOS/SIMOX技術を用いた動作電圧範囲の広いSOI-DRAM
- スタック型キャパシタ構造の薄膜SOI-DRAMプロセス
- 低消費データ保持モードを搭載したモバイル用途向け16Mbit混載DRAMコア(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM(TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)