Nozawa R | Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation
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概要
Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation | 論文
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの絶縁膜-シリコン界面と結晶粒界のトラップ準位の抽出(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- Extraction of Trap State at the Oxide-Silicon Interface and Grain Biundary in Polycrystallune Silicon Thin-Film Transistors
- 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ駆動発光ポリマーディスプレイ
- Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors
- Current Density Enhancement at Active Layer Edges in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors