KOHLER Klaus | Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik
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概要
関連著者
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KOHLER Klaus
Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik
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Kohler Klaus
Fraunhofe-institut Fur Angewandte Festkorperphysik
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MUTO Shunichi
Fujitsu Laboratories Ltd.
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Tackeuchi Atsushi
Max-planck-institut Fur Festkorperforschung:(permanent Address)fujitsu Laboratories Ltd.
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KURZ Heinrich
Institute of Semiconductor Electronics II, Rheinisch-Westfailsche Technische Hochschule, Sommerfelds
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HEBERLE Albert
Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung
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RUHLE Wolfgang
Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung
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Kurz Heinrich
Institut Fur Hatbleitertechnik Ii Rheinisch-westfalische Technische Hochschule (rwth) Aachen
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Kurz Heinrich
Institut Fur Halbleitertechnik Rwth Aachen
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Roskos Hartmut
Institut fur Hatbleitertechnik II, Rheinisch-Westfalische Technische Hochschule (RWTH) Aachen
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Waschke Christian
Institut fur Hatbleitertechnik II, Rheinisch-Westfalische Technische Hochschule (RWTH) Aachen
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Victor Kai
Institut fur Theoretische Physik B, RWTH Aachen
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Victor Kai
Institut Fur Theoretische Physik B Rwth Aachen
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Waschke Christian
Institut Fur Hatbleitertechnik Ii Rheinisch-westfalische Technische Hochschule (rwth) Aachen
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Roskos Hartmut
Physikalisches Institut Johann Wolfgang Goethe-universitat Frankfurt Am Main
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Hulsmann Axel
Fraunhofer Institut Fur Angewandte Festkorperphysik
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Kohler Klaus
Fraunhofer Institut Fur Angewandte Festkorperphysik
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Braunstein Jurgen
Fraunhofer Institut Fur Angewandte Festkorperphysik
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Roskos H
Johann Wolfgang Goethe‐univ. Frankfurt Am Main Frankfurt Deu
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BRONNER Wolfgang
Fraunhofer Institut fur Angewandte Festkorperphysik
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TASKER Paul
Fraunhofer Institut fur Angewandte Festkorperphysik
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Roskos Hartmut
Institut Fur Hatbleitertechnik Ii Rheinisch-westfalische Technische Hochschule (rwth) Aachen
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Kurz Heinrich
Institut für Halbleitertechnik, RWTH Aachen, D-52074 Aachen, Germany
著作論文
- Band-Gap Renormalization and Excitonic Effects in Tunneling in Asymmetric Double Quantum Wells
- Bloch Oscillations in Semiconductor Superlattices
- Fabrication of High Breakdown Pseudomorphic Modulation Doped Field Effect Transistors Using Double Dry Etched Gate Recess Technology in Combination with E-Beam T-Gate Lithography