山川洋一 | 新潟大院自然

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著作論文

20pHT-6 シリコン原子空孔における電子相関 : 電子フォノン非断熱効果と弾性ソフト化III(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
21pPSA-30 分子動力学シミュレーションによる氷Ihの表面構造の面方位依存性の研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
20pPSB-2 鉄系超伝導体のd-p模型における磁気・軌道・電荷秩序(20pPSB 領域8ポスターセッション(低温III(鉄系超伝導体)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
20pPSB-1 鉄系超伝導体に対するd-p模型のs_±とs_++波の超伝導相図(20pPSB 領域8ポスターセッション(低温III(鉄系超伝導体)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
26pRL-9 2次元16バンドd-p模型による鉄ニクタイド系の超伝導機構II(鉄系超伝導体4(理論),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
29pTL-1 ハニカム格子系Li_2RuO_3における新しい相転移機構(29pTL Ru酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
26aPS-90 鉄ニクタイドにおける共鳴非弾性X線散乱の理論的研究(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
28aTC-9 2次元16バンドd-p模型による鉄ニクタイド系の超伝導機構(28aTC 鉄砒素超伝導体3(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
28aTC-8 LaFeAsOに対する有効d-p模型の導出と電子状態(28aTC 鉄砒素超伝導体3(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
21aYA-7 2次元16バンドd-p模型によるオキシニクタイド超伝導体の電子状態(21aYA 鉄オキシニクタイド(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
25pYK-12 シリコン原子空孔におけるスピン軌道相互作用と電子フォノン相互作用の効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
25pYK-11 シリコン原子空孔における電子相関-電子フォノン非断熱効果と弾性ソフト化II(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
26aPS-67 層状コバルト酸化物Na_CoO_2の二段転移と強相関効果II(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
27aRB-9 シリコン原子空孔の電子状態に対するスピン軌道相互作用の効果(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
27pPSB-64 希薄磁性半導体Zn_M_xOの電子状態と強相関効果(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
27pPSA-41 層状コバルト酸化物Na_CoO_2の二段転移と強相関効果(27pPSA 領域8ポスターセッション(低温I(Cu,Mn,Co,Ru,V酸化物)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
21pRB-3 シリコン原子空孔における電荷状態の広がりと強相関・強結合効果(21pRB 領域10シンポジウム:シリコン結晶中の単原子空孔:量子状態解明の新たな展開と半導体技術イノベーション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
22pQB-3 Off-Center型非調和ポテンシャルにおける量子状態とラットリング(22pQB 磁性理論(スクッテルダイト・重い電子系統),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
21aQE-11 2次元三角格子d-p模型によるNa_CoO_2の2段転移と磁場依存性(21aQE Co系超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
20pPSA-18 シリコン原子空孔における電荷状態の拡がりと弾性ソフト化(20pPSA 領域8ポスターセッション(低温:Mn酸化物,V酸化物,鉄オキシニクタイドなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
20pQF-15 シリコン原子空孔における電子相関-電子フォノン非断熱効果と弾性ソフト化(20pQF 多軌道系,フラストレーションなど,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
24pYF-5 グリーン関数を用いたシリコン原子空孔における局所電子状態(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
24pYF-4 シリコン結晶中の原子空孔における強相関-強結合量子状態III(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
22pTD-12 シリコンの原子空孔における電子状態(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
21aPS-19 シリコン原子空孔における局所電子状態と磁場依存性(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
21pWF-10 2次元三角格子d-p模型によるNa_CoO_2の磁気・電荷・軌道秩序(フラストレーション,電荷秩序など(理論),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
18pPSA-44 Off-Center型非調和ポテンシャルにおける量子状態と異常物性(18pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等1:スクッテルダイト,多極子など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
19aXE-4 2次元三角格子d-p模型によるNa_CoO_2の磁気秩序と電荷秩序(19aXE 遷移金属酸化物(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
19aPS-20 シリコン結晶中の原子空孔における強相関-強結合量子状態 II(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
23aZG-1 2次元三角格子d-p模型によるNa_CoO_2の反強磁性と2段転移(23aZG 多軌道系・準一次元系など(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
23pPSB-48 充填スクッテルダイト化合物におけるラットリングと伝導電子の結合の理論(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
23aZG-12 シリコン結晶中の原子空孔における強相関-強結合量子状態(23aZG 多軌道系・準一次元系など(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
28aTC-3 2次元三角格子d-P模型によるNa_xCoO_2の電子状態(28aTC 磁束量子・その他(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
22pPSA-75 半導体の点欠陥におけるヤーンテラー歪みと動的に結合した電子系の強結合状態(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
26aWZ-14 シリコン原子空孔の電子状態に対するスピン軌道相互作用の効果II(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
26aWZ-13 シリコン原子空孔における強相関・強結合量子状態とスピン軌道相互作用の効果(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
25aWG-4 鉄系超伝導体のd-p模型におけるd-pサイト間斥力U_の効果(25aWG 鉄砒素系理論(多軌道系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
25aWG-3 2次元16バンドd-p模型の磁気・軌道・電荷秩序と電子格子相互作用の効果(25aWG 鉄砒素系理論(多軌道系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
23aPS-41 鉄系超伝導体に対する2軌道ハバード模型の動的平均場理論(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
25pPSB-2 動的平均場による2軌道ハバード模型の磁気秩序と軌道秩序(25pPSB 領域8ポスターセッション(低温1(鉄砒素系・銅酸化物ほか)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
25pEE-3 鉄系超伝導体のd-p模型における格子-軌道結合によるs_波超伝導(25pEE 鉄砒素系(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
鉄系超伝導体のd-p模型における軌道-格子結合効果(鉄系高温超伝導の物理,研究会報告)
鉄系超伝導体における軌道の秩序と揺らぎ(鉄系高温超伝導の物理,研究会報告)
25pPSB-4 鉄砒素超伝導体の共鳴非弾性X線散乱における電子相関の効果と軌道励起(25pPSB 領域8ポスターセッション(低温1(鉄砒素系・銅酸化物ほか)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
25pEE-11 鉄系超伝導体の反強磁性・強軌道秩序と構造転移の理論(25pEE 鉄砒素系(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
22aGQ-8 シリコン原子空孔における電荷状態の拡がりと相関効果(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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