26aWZ-13 シリコン原子空孔における強相関・強結合量子状態とスピン軌道相互作用の効果(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

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概要

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• 2010-08-18

著者

• 山川 洋一

  新潟大院自然

• 山田 武見

  新潟大院自然

• 大野 義章

  新潟大理

• 大野 義章

  新潟大学理学部

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