22aGQ-8 シリコン原子空孔における電荷状態の拡がりと相関効果(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 山川 洋一

  新潟大院自然

• 山田 武見

  新潟大院自然

• 大野 義章

  新潟大理

• 大野 義章

  新潟大学理学部

• 山川 洋一

  名大理

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