Ôeda Haruomi | Chemical Institute, Faculty of Science, Imperial University of Tokyo
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概要
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論文 | ランダム
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
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