長谷川 貴士 | MIRAI-Selete
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概要
MIRAI-Selete | 論文
- 90nm CMOS差動対トランジスタのV_とAC応答のその場評価(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nm CMOS差動対トランジスタのV_とAC応答のその場評価(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 境界保護層付きメッシュを用いた拡散シミュレーションの高精度化
- インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)