CHOI Il | GIST
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概要
GIST | 論文
- 24pQB-4 高強度超短パルスレーザーによる高エネルギーイオン加速のオンラインエネルギー測定(24pQB プラズマ科学(超高強度レーザー),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- Achieving Band Edge Effective Work Function of Gate First Metal Gate by Oxygen Anneal Processes : Low Temperature Oxygen Anneal (LTOA) and High Pressure Oxygen Anneal (HPOA) Processes
- Demonstration of Low V_t NMOSFETs Using Thin HfLaO in ALD TiN/HfSiO Gate Stack
- Physical Origin of Fast Transient Charging in Hafnium Based Gate Dielectrics
- Thermal stability of metal electrodes and its impact on gate dielectric characteristics