佃 栄次 | ルネサスエレクトロニクス(株)

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概要

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• 同名の論文著者
• ルネサスエレクトロニクス(株)の論文著者

ルネサスエレクトロニクス(株) | 論文

• 携帯電話端末システムにおける高周波部品の進化
• クラスタボロン注入を用いた浅いソースドレインエクステンションの形成
• 32nmノード以降のメタルゲート/high-k CMOSの接合形成技術
• 22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成
• 30Vゲート/80Vドレイン耐圧を有する双方向型MOSFETへのチャネルストッパーの適用効果

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