青山 朋弘 | デンソー基礎研
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概要
デンソー基礎研 | 論文
- 24aY-5 STM/RHEEDによる 6H-SiC(0001)表面の再構成の観察
- 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-26 STM による SiC 表面のグラファイト構造の観察
- 20aPS-30 AES と RHEED ロッキング曲線による 6H-SiC(0001) (√3×√3)-R30°と 3×3 表面の酸化初期過程の研究
- 17pWD-4 SiC(0001)(√×√)-R30゜表面の多波条件RHEEDロッキング曲線による研究