関 隆史 | 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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概要
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 | 論文
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術