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中村 隆弘 | NECシステムデバイス研究所
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NECシステムデバイス研究所 | 論文
密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
EB直描を用いた先端デバイスの試作
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