曲 偉峰 | 信越半導体(株)半導体磯部研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 信越半導体(株)半導体磯部研究所の論文著者

信越半導体(株)半導体磯部研究所 | 論文

• 23aB1 シリコンエピタキシャル成長におけるホウ素取り込みの数値計算モデル(エピタキシャル成長I)
• SiHCl_3-H_2系シリコン気相エピタキシャル成長の化学種観察 : 気相成長III
• 常圧水素中におけるSi基板のエピ成長前処理
• 水素終端Si(100)-2×1表面の初期酸化過程とその界面構造
• シリコンエピタキシャル成長におけるドーパントガスの輸送現象解析

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