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伊村 慶紀 | 大阪国際がんセンター整形外科
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SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
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