塚本 桓世 | 東理大・理・応物
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概要
東理大・理・応物 | 論文
- MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
- 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
- MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
- 17aTE-3 アンダードープBi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル分光
- 28pPSA-20 Bi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル伝導度のdoping依存性 : 酸素量及びLa含有量の効果