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佐々木 道夫 | 株式会社東芝研究開発センターULSI研究所
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株式会社東芝研究開発センターULSI研究所 | 論文
SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
C-11-2 TIS を用いたバッファ回路の設計法とその DRAM への適用検討
周辺回路の歩留りを考慮したギガビットDRAMの最適冗長回路設計法
高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術
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