益 一哉 | 東京工業大学フロンティア研究機構
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概要
東京工業大学フロンティア研究機構 | 論文
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 (シリコン材料・デバイス)
- SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル--バリステイックおよび準バリステイック輸送 (シリコン材料・デバイス)
- SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル : バリスティックおよび準バリスティック輸送(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)