川野 正智 | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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概要
九州工業大学マイクロ化総合技術センター | 論文
- C-12-8 CMOS偶数段リング発振回路の最適設計条件の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 強誘電体メモリ(FeRAM)の長期データ保持特性テスト法(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- C-12-54 メモリセル読み出し信号電圧に着目したFeRAM評価手法
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果