佐藤 剛 | 株式会社シリコンテクノロジー
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概要
株式会社シリコンテクノロジー | 論文
- 22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長