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和田 浩 | 沖電気工業(株)半導体技術研究所
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沖電気工業(株)半導体技術研究所 | 論文
0.15μmCMOSトランジスタを用いた低電力プリアンプIC
0.14μm CMOSトランジスタを用いた1:8 DEMUX
高濃度ベースセルフアライン型SiGe HBTにおけるGe組成の検討
高濃度ベース層を有するセルフアライン型SiGe HBT
酸化タンタル膜キャパシタに適した上部電極材料の検討
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