長谷川 英機 | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター

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概要

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• 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターの論文著者

北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター | 論文

• シリコン超薄膜を用いたInGaAsの表面不活性化とその応用
• Si界面制御層を用いた化合物半導体量子井戸構造の表面不活性化
• 新しい界面制御技術による化合物半導体の表面パッシベーションとその量子構造への応用
• ラテラルnipi構造の作製とその静電気力顕微鏡による評価
• 静電気力顕微鏡(EFM)によるドーピング超格子構造の表面ポテンシャル観察

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