Shung Kenneth | Physics Department, National Tsing Hua University, Hsinchu 30050, Taiwan, Republic of China
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概要
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- 同名の論文著者
- Physics Department, National Tsing Hua University, Hsinchu 30050, Taiwan, Republic of Chinaの論文著者
論文 | ランダム
- CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
- (100)Pt/(100)MgO基板上へのPzT薄膜の合成とその性質
- 高速でエピタキシャル成長させたCVD Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の特徴
- CVD法で合成した窒化鉄-窒化チタン薄膜の微構造
- 研究技術動向の一断面