江澤 弘和 | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体プロセス開発第5部
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概要
株式会社東芝セミコンダクター社半導体プロセス開発第5部 | 論文
- 電解めっきを用いた ULSI 多層 Ag 配線
- 2-Step めっき法による Sn-Ag はんだバンプ形成プロセス
- 銀多層配線の保護層としての無電解 Ni-B めっき
- Sn-Agはんだバンプ形成プロセス (実装技術ガイドブック2001年--CSP,ビルドアップ基板,はんだ付けなど実相技術を集大成) -- (フリップチップ編)
- Sn-Ag半田バンプ形成プロセス