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日本結晶成長学会 | 論文
- ^Si_n/^Si_n同位体超格子の成長と評価(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- GROWTH AND STRUCTURE OF THE EPITAXIAL FILMS(Fundamentals of Vapour Growth and Epitaxy : Lecture Notes of the ICVGE-4 Specialists' School)
- 蒸気圧制御液相エピタキシャル法によるストイキオメトリー制御 : エピタキシー (LPE)
- 人工水晶内格子歪と光学的不均一 : 欠陥
- 人工水晶内のHydrogen-Bonded(2)
- 低転位密度人工水晶の育成 : 評価
- 分子動力学法による氷結晶/水界面構造の研究II : 成長界面II
- 分子動力学法による氷結晶/水界面構造の研究III : ステップ II
- 氷表面相転移の分子動力学研究
- 01pC06 ガスクラスレートハイドレートの結晶化機構(結晶成長基礎(3),第36回結晶成長国内会議)
- ごへい形雪結晶の成長過程のシミュレーション : 基礎III
- MBE 成長条件下での2元系結晶成長理論 : 基礎(理論)II
- BCF理論によるGaAs-MBE成長の解析
- Recent Highlights of Bulk Indium Phosphide(InP)Crystal Growth in the USA (特集:21世紀を担うバルク単結晶) -- (化合物)
- 人工水晶の線状欠陥(II)
- 人工水晶内のHydrogen-Bonded OH : 格子欠陥
- Non equilibrium Kink Density Along a Step
- GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討(窒化物半導体結晶)
- 六塩化二ケイ素を原料とするSi_3N_4ウイスカーのVLS合成
- FZ-Si結晶面内抵抗率分布とゾーン内融液流動の関係 : バルク成長シンポジウム