FZ-Si結晶面内抵抗率分布とゾーン内融液流動の関係 : バルク成長シンポジウム
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概要
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Numerical analysis of heat and mass transfer during FZ-Si crystal growth process has been performed to clarify the determination mechanism of radial resistivity profile. Surface temperature distribution of molten zone is considered as most effective driving force of flow and dominant factor for crystal quality.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
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