New Ordering of the InAs Growth through High-Temperature Treatment of the GaAs (100) Substrates
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概要
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- Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
- 2003-04-15
著者
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Mendez-garcia Victor-hugo
Instituto De Investigacion En Comunicacion Optica And Facultad De Ingenieria Universidad Autonoma De
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SAUCEDO-ZENI Nadia
Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosf
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GORBATCHEV Yu
Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica and Facultad de Ingenieria, Universidad Autonoma d
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Saucedo-zeni Nadia
Instituto De Investigacion En Comunicacion Optica And Facultad De Ingenieria Universidad Autonoma De
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Gorbatchev Yu
Instituto De Investigacion En Comunicacion Optica And Facultad De Ingenieria Universidad Autonoma De
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Yu Gorbatchev
Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica and Facultad de Ingenieria, Universidad Autonoma de San Luis Potosi
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Yu Gorbatchev
Instituto de Investigación en Comunicación Óptica and Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470, Lomas 4a. Sección, San Luis Potosí, S.L.P., 78210, México
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Saucedo-Zeni Nadia
Instituto de Investigación en Comunicación Óptica and Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470, Lomas 4a. Sección, San Luis Potosí, S.L.P., 78210, México
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