Influence of Carrier Lifetime, Transit Time, and Operation Voltages on the Photoresponse of Visible-Blind AlGaN Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors (Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)

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概要

著者

Martens Martin
Institute of Solid State Physics, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
Knigge Andrea
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany
Brendel Moritz
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, 12489 Berlin, Germany
Einfeldt Sven
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, 12489 Berlin, Germany
Weyers Markus
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, 12489 Berlin, Germany
Brunner Frank
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, 12489 Berlin, Germany
Schlegel Jessica
Institute of Solid State Physics, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
Rass Jens
Institute of Solid State Physics, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
Kneissl Michael
Institute of Solid State Physics, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany

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