抵抗変化メモリの動作原理--外部電場下の金属/遷移金属酸化物界面に関する解析評価 (小特集 外場のある系の第一原理計算)
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概要
著者
-
Dino Wilson
阪大院理
-
笠井 秀明
阪大院工
-
笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
-
Dino Wilson
大阪大学大学院理学研究科
-
Dino Wilson
大阪大学 ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
-
Kasai Hideaki
Dep. Of Prec. Sci. & Tech. And App. Phys. Osaka Univ.
-
Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
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