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絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(IG-FET)の空間電荷制限電流(研究速報)〔英文〕
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概要
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東京大学生産技術研究所の論文
著者
生駒 俊明
東京大学生産技術研究所概念情報工学研究センター 日本テキサス・インスツルメンツ(株)
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研究室紹介 : 生駒研究室
研究解説 : 半導体中の深いエネルギー準位の不純物の測定
電子遷移効果発振の動作機構とその特性
絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(IG-FET)の空間電荷制限電流(研究速報)〔英文〕
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