研究解説 : 半導体中の深いエネルギー準位の不純物の測定
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概要
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半導体デバイスの特性・信頼性の改良，あるいは新たな半導体材料の開発という意味においても，半導体中に含まれる深いエネルギー準位の不純物の検出は極めて重要な問題である．プロセス技術の改良という要求から，この問題に対し多くの研究が行なわれてきた．低濃度の深いエネルギー準位の不純物を簡単に感度良く検知する事は現在の課題であり，多くの測定法の中でも接合を用いた方法はこの要求を満たすものとして第一にあげられる．本解説では，この接合を用いた不純物測定法を述べ，今までに報告されている，不純物準位に関する数値をまとめた．
- 東京大学生産技術研究所,Institute of Industrial Science. University of Tokyo,東京大学生産技術研究所 第3部 電子工学,東京大学生産技術研究所 第3部 半導体電子工学の論文
- 1973-07-01
著者
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