Cluster size dependence of SiO2 thin film formation by O2 gas cluster ion beams
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 26aPS-3 Arクラスターイオンビーム援用蒸着法により作成したDLC薄膜の電子状態II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 特集 ガスクラスターイオンビームを利用した微細加工 ガスクラスターイオンビーム(GCIB)を利用した高精度ナノ加工
- Surface roughness reduction using gas cluster ion beams for Si photonics
- クラスターイオンと固体表面との相互作用--表面衝突現象、照射効果
- 23pPSA-11 Arクラスターイオンビーム援用蒸着法により作成したDLC薄膜の電子状態(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- ガスクラスターイオンビームの超低エネルギー照射効果
- ガスクラスターイオンビームプロセス (小特集 イオン技術の新しい発展)
- Summary of industry-academia collaboration projects on cluster ion beam process technology
- Non-contact wafer fabrication process using gas cluster ion beams
- Cluster size dependence of etching by reactive gas cluster ion beams
- Cluster size dependence of SiO2 thin film formation by O2 gas cluster ion beams
- Size effects of gas cluster ions on beam transport, amorphous layer formation and sputtering
- クラスターイオンビーム・ナノ加工技術とその応用
- ガスクラスターイオンビームプロセス