ドイツにおける雇用・失業問題 (特集 日本経済--2010中間分析) -- (どうする日本の雇用(1))
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概要
論文 | ランダム
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 24pWK-10 Si-金属界面における磁気抵抗効果のキャリア濃度依存性(領域3,領域9合同講演,領域9,表面・界面,結晶成長)
- シリコンリング共振器を用いた電界駆動光変調素子(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)