MBE法による高Jcas-grown MgB2薄膜の磁束ピンニング特性 (強磁場超伝導の研究--低温超伝導体)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 交差した柱状欠陥を導入したYBCO薄膜の臨界電流密度の磁場角度依存性
- BaZrO_3, YSZを用いたYBCO擬似多層膜の磁束ピンニング特性
- 様々に傾いた柱状欠陥を含むYBCO薄膜の臨界電流密度の磁場角度依存性
- Tiバッファ層を導入したMgB_2薄膜のピンニング特性
- MBE法で作製した高 J_c as-grown MgB_2 薄膜の磁束ピンニング特性
- 31a-YE-7 酸化物超伝導体単結晶の熱拡散率と熱伝導度の異方性
- 柱状欠陥を導入したYBa_2Cu_3O_y超伝導薄膜における電界-電流密度特性の磁場角度依存性
- 人工ピンを導入したREBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- 高温超伝導体のピンニング・パラメータに対する柱状欠陥の影響
- 会議報告 20th international symposium on superconductivity
- ナノロッドを含むREBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- 超伝導混合状態におけるn値とピン力分布の関係
- PLD法で作製した高温超伝導多層膜の磁束ピンニング特性
- PLD法で作製したZnO/YBa_2Cu_3O_多層膜の磁束ピンニング特性
- PLD法で作製した ZnO/YBa2Cu3O7-δ 多層膜の磁束ピンニング特性
- BZOナノロッドを導入したErBCO薄膜の磁束ピンニング特性(2)
- Si基板上MgB_2薄膜の磁束ピンニング特性に対する酸素導入効果
- BZOナノロッドを導入したErBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- EBE法により作製したSi基板上MgB2薄膜における磁束ピンニング特性 (強磁場超伝導の研究--低温超伝導体)
- 柱状欠陥を導入したYBCO薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- BaZrO3ナノロッドを有するErBa2Cu3O7-δ薄膜のピンニング特性
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜におけるピンニング特性の印加磁場角度依存性
- 柱状欠陥を導入したYBCO薄膜におけるピンニングパラメータの磁場角度依存性
- 人工ピンを導入したSmBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- 酸素雰囲気中で作製したMgB_2薄膜の磁束ピンニング特性
- 人工ピンを導入したREBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜のピンニング特性(II)
- MBE法による高Jcas-grown MgB2薄膜の磁束ピンニング特性 (強磁場超伝導の研究--低温超伝導体)
- 人工ピンを導入したSmBCO薄膜の磁束ピンニング特性 (強磁場超伝導の研究--高温超伝導)
- 高温超伝導体における臨界電流密度の温度・磁界依存性に関するスケーリング則
- 高温超伝導体における電圧-電流特性に対するピン力分布の影響
- YBa_2Cu_3O_薄膜における輸送特性への splayed defects の効果(2)
- 塗布熱分解法により作製した仮焼成膜の成分分布評価
- 5a-Y-4 YBCO結晶の熱伝導率異方性の解析
- 電子ビーム蒸着法で作製したMgB2薄膜のピンニング特性
- RF スパッタリング法により作製された MgB_2 薄膜のピンニング特性
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜のピンニング特性
- MgB2薄膜のにおける磁束ピンニングの強磁場特性 (強磁場超伝導の研究--低温超伝導体)
- 高温超伝導薄膜のピンニング・パラメータに対する柱状欠陥の影響
- 高温超伝導体のピンニング状態における磁化緩和特性
- 強磁場下における高温超伝導薄膜の電流-電圧特性に対する重イオン照射効果 (強磁場超伝導の研究--高温超伝導体)
- FET味覚センサの開発
- 28a-Q-12 Y-系およびBi-系超伝導体の熱拡散率
- 24pYP-10 Y系高温超伝導体における重イオンスプレー照射効果
- 25p-YB-5 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_y薄膜の輸送特性
- 30p-R-9 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_y薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- 7p-M-12 重イオン照射したEuBa_2Cu_3O_y薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- 高温超伝導体における磁化の外部磁場掃引速度依存性とピーク効果