16MビットシンクロナスDRAM高速インタフェ-ス品の開発 (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-ティング系システム用デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本電気の論文

著者

• 高井 康浩

  エルピーダメモリ株式会社テクノロジー&ディベロップメントオフィス

• 越川 康二

  エルピーダメモリ株式会社テクノロジー&ディベロップメントオフィス

関連論文

• 1.8V 800-Mb/s/pin DDR2及び2.5-V 400-Mb/s/pin DDR1の2仕様を1チップで実現した1Gbit DRAMの開発
• 1.8V 800-Mb/s/Pin DDR2及び2.5-V 400-Mb/s/pin DDR1の2仕様を1チップで実現した1Gbit DRAMの開発(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機器用システムLSI及び一般)
• 3段パイプライン方式による250Mバイト/秒のシンクロナスDRAM
• 16MビットシンクロナスDRAM高速インタフェ-ス品の開発 (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-ティング系システム用デバイス)

スポンサーリンク