金を拡散したn型シリコン中で観測される深い不純物準位
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 電子ビーム誘起電流法によるボロンドープホモエピタキシャルダイヤモンドの評価
- 24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程
- 26pYL-7 Si中のPの準格子間機構1結合型移動での移動確率
- 29a-ZA-5 Si中のP拡散への酸化および窒化効果の解析
- 25p-T-7 x/√の関数としてのSi中のp拡散密度分布から求められるp実効拡散係数
- 7a-S-6 不純物-点欠陥連立拡散方程式の数値解における境界条件
- 30p-E-5 Si中のsplit-interstitial移動の図的模型
- CF4プラズマエッチングにおける非対称ダブルプロ-ブを用いたモニタ-法の可能性について
- 一定容量過渡電圧法を用いたMOSキャパシタ中の生成寿命測定
- 2a-KL-4 シリコン中の金の回復(II)
- 明るく未来志向でいきましょう
- 韓国 IMAPS Korea とMOU締結
- SiP基板標準化のためのSIPOS活動
- 実装技術で日本の優位性を保つためには
- 研究室訪問 : 福岡大学工学部電子情報工学科友景研究室
- ダイヤモンドをよく知るために(10)評価法(24)半導体特性の電気的評価(2)
- ダイヤモンドをよく知るために(10)評価法(24)半導体特性の電気的評価(1)
- ニュ-ロン多重方式によるパルス密度型ニュ-ロン回路の開発
- ICプロセス用簡易レ-ザ描画装置の製作
- GaAsミッドギャップ準位からの電子放出へのエッジ効果
- 公開講座「社会人を対象とした集積回路の制作実習」について
- 金を拡散したn形シリコン中で観測される深い不純物準位濃度の金濃度依存性
- イオン交換による薄膜3次元光導波路の作製
- LiNbO3基板を用いたTi拡散導波路と分岐干渉型変調器の作製
- 熱光学効果を利用した屈折率分布型アイソレ-タの作製(資料)
- 過渡容量法を用いた少数キャリア捕獲率の新しい決定法
- LPE成長によるInGaAsP/InPダブルヘテロ接合の形成
- チタンを拡散したシリコン中で観測される深い不純物準位
- LPE成長によるInGaAsP/InPダブルヘテロ接合レ-ザの製作
- マイクロコンピュ-タ制御によるダイオ-ドの過渡容量測定
- シリコンpn接合の空乏層解析
- 金を拡散したn型シリコン中で観測される深い不純物準位
- InGaAsP/InP発光素子成長用液相エピタキシャル装置の製作
- 実習用p-MOSFETのしきい値電圧制御
- 卒論性を対象としたMOS集積回路の製作実習
- マイクロコンピュ-タを用いたDLTS測定
- アジアの中で生きる
- 30a-LG-3 シリコン中の高温置換金の回復(II)(格子欠陥)
- 30a-FA-3 シリコン中の高温置換金の回復(30a FA 格子欠陥)