高圧下における鉄-水-水素系
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20aHT-2 水素誘起多量空孔生成による金属格子原子の拡散 : モンテ・カルロシミュレーション(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
ニッケル-鉄合金めっき膜中の水素および空孔の安定化熱処理
-
ニッケル-鉄合金めっき膜における水素誘起超多量空孔の生成
-
24aTD-1 水素誘起による金属中の多量空孔生成III : closed systemのモンテ・カルロシミュレーション(領域10,領域9合同格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
21aYE-3 金属・合金のナノ構造における水素の効果(格子欠陥・ナノ構造(水素・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
領域10, 領域9「固体における水素の科学の新展開」(第60回年次大会シンポジウムの報告)
-
25pYM-1 はじめに(領域10, 領域9合同シンポジウム:固体における水素の科学の新展開,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
25aYM-7 水素誘起による金属中の多量空孔の生成 : Fe-H, Co-H, Ni-H, Pd-H合金における実験(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
25aYM-6 水素誘起による金属中の多量空孔の生成 : モンテ・カルロ シミュレーション(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
藤田英一, 『金属物理博物館』, アグネ技術センター, 東京, 2004, viii+294p., 21×14.5cm, 2,800円, [一般向]
-
27pXT-12 バナジウム-水素系における応力誘起状態 : チャンネリング実験による(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
28aYA-1 水素による金属原子拡散の促進効果(28aYA 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
水素合金をめざして
-
The Phase Diagram of Mo-H Alloys under High Hydrogen Pressures
-
水素と金属 : 高圧実験から知られたこと
-
Superabundant Vacancy Formation in Iron under High Hydrogen Pressures: Thermal Desorption Spectroscopy
-
5a-S-13 金属-水素合金における原子空孔の多量生成とその効果
-
金属-水素合金における原子空孔の多量生成とその効果
-
水素化による多空孔金属の生成
-
「常温核融合」昨今
-
遷移金属-水素系の状態図
-
金属中の水素-9完-水素脆化-3-
-
金属中の水素-8-水素脆化-2-
-
金属中の水素-7-水素脆化-1-
-
金属中の水素-6-水素貯蔵
-
金属中の水素-5-電気的・磁気的性質
-
金属中の水素-4-電子構造
-
金属中の水素-3-拡散過程
-
金属中の水素-2-固溶水素のミクロな存在状態
-
金属中の水素-1-状態図と統計熱力学
-
高圧下における鉄-水-水素系
-
電析Crめっき膜への水素の侵入と構造変化
-
25pYK-7 水素誘起による金属中の多量空孔生成II : シミュレーションによる実験結果の検討(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
金属材料における水素誘起効果 (新しい水素の科学--新手法が明かす水素分布・ダイナミクス・電子状態) -- (新しい材料)
-
水素による金属中の超多量空孔生成
-
Some Experiments on Flux Pinning in Pb Doped Bi-Sr-Ca-Cu-O System
-
Superconductivity in Tl_SrCaCu_2O_x : Electrical Properties of Condensed Matter
-
A New Family of Copper Oxide Compounds with a Tl-O Monolayer: (Tl_Pb_z)(Sr_La_x)_2(Ln_Ce_y)_2Cu_2O_9
-
Crystal Structure and Characterization of the New Tl(La,Sr)_2CuO_5-Type Superconductor
-
Improving Superconducting Characteristics of Tl-Sr-Ca-Cu-O by Doping with Pb and/or Rare-Earth Elements
-
Lattice Location Study on H in Ta by the Channeling Method
-
水素による超多量空孔生成がもたらすもの(I) : 水素誘起空孔の生成
-
水素による超多量空孔生成がもたらすもの(III) : 水素脆性との関わり
-
水素による超多量空孔生成がもたらすもの(II) : 水素誘起欠陥構造と拡散促進効果
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク